原标题：碳化硅 MOSFET 吹捧格纹嵌入式肖特基二极管

　　东芝开发了一种SiC MOSFET，该场效应管以检查模式排列嵌入式肖特基势垒二极管，以实现低导通电阻和高可靠性。该公司报告说，该设计降低了导通电阻(R上A) 与目前的 SiC MOSFET 相比，减少了约 20%，且可靠性没有损失。

　　在SiC MOSFET反向操作期间，体二极管中的双极性传导是有害的，因为它会降低导通电阻。东芝研究了一种器件结构，该器件结构在MOSFET中嵌入肖特基势垒二极管(SBD)以灭活体二极管，但发现用嵌入式SBD替换MOSFET沟道会降低沟道密度并增加R。上一个。现在，新的检查模式嵌入式 SBD 结构解决了这种权衡。

　　对 1.2kV SBD 嵌入式 MOSFET 的侧电流特性的评估证实，使用检查设计将嵌入式 SBD 放置在靠近体二极管的位置可有效限制寄生二极管的双极性传导。在相同的SBD面积消耗下，反向传导的单极性电流限值是电流条形SBD设计实现的两倍。R上发现A在2.7 mΩ·cm处低约20%2.

　　如果要将SiC MOSFET用于电机驱动应用的逆变器，则权衡的确认改进至关重要。在本月举行的第68届IEEE国际电子设备年会上报告了这一成就的细节。