原标题：BRC Solar 的功率优化器使用 EPC eGaN FET

　　EPC GaN FET 的低功耗为 BRC Solar 的下一代功率优化器提供了更高的电流密度。

　　BRC Solar GmbH 凭借其功率优化器彻底改变了光伏 (PV) 市场，提高了光伏电站和系统的能源产量和性能。将 Efficient Power Conversion 的 EPC2218 100V FET 设计到其下一代 M500/14 电源优化器中，由于 GaN FET 的低功耗和小尺寸，实现了更高的电流密度，使关键负载电路更加紧凑。GaN FET 的小寄生电容和电感创造了干净的开关性能，从而允许在现场具有良好的 EMI 行为。GaN FET 的另一个优点是反向恢复损耗为零。

　　EPC2218 是一款 100V GaN FET，3.2mΩ，231A脉冲，仅占 3.5×1.95mm 的小尺寸，与同类硅 MOSFET 相比，提供更低的损耗和更小的尺寸，从而提高了功率密度。

　　BRC 之前的系列 M400/12 可处理高达 12A 的电流和 400W 的最大功率运行。通过从 Si FET 改为 GaN FET，该公司实现了将输出电流增加到 14A，额定功率为 500W，同时保持相同的电路板尺寸。此外，M500/14 的开关频率是上一代产品的两倍，从而可以降低电容器和电感器等无源元件的价值，甚至完全去除。

　　该公司的优化器仅在光伏组件上出现阴影时才有效。主要情况是完全辐照的模块，其中电路进入非活动状态。在这种情况下，开关 FET 会持续关闭。重要的是，电路板上的功率损耗要尽可能低。因此，EPC2218 是 BRC 应用的最佳解决方案，因为它具有低 R DS(on)。由于 GaN FET 的出色导电性，静态损耗也非常小。

　　在活动模式期间，模块优化器的开关行为会导致较小且可接受的功率损耗。EPC2218 的低寄生元件可在应用中实现快速、干净的切换。

　　在这两种模式下，FET 的温升都很小，即使在较高的环境温度下，也可以通过 EPC2218 的 LGA 焊盘向电路板进行良好的热传递。因此，不需要额外的散热器，进一步节省空间和重量。

　　“EPC 的 eGaN FET 开辟了高密度电力电子开发的新视野。BRC Solar 的 Winona Kremb 表示，我们将关注 EPC 的进一步应用和产品，并很高兴能成为这一旅程的一部分。

　　“与 BRC 合作是一个令人兴奋的设计导入机会，并且与我们的分销合作伙伴 Finepower 一起，我们已经能够在将公司从硅转向 GaN 方面取得巨大成果。使用 GaN 的设计人员现在可以利用性能更高、体积更小、热效率更高且成本相当的器件，”EMEA 销售副总裁 Stefan Werkstetter 说。