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WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ IGBT的介绍、特性、及应用
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原标题：WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ IGBT的介绍、特性、及应用
WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ IGBT是一种高速650V/50A IGBT，在TO247封装中具有反平行二极管。这种IGBT提供高速、低开关损耗和平滑的开关行为，避免电压超调和降低系统EMI。WG50N65DHWQ IGBT采用沟栅场阻技术，并提供低热阻。这种IGBT采用无卤素封装，具有无铅铅完成，并符合RoHS标准。典型应用包括功率因数校正，焊接变流器，太阳能逆变器。工业逆变器和UPS。
特性
高速，低开关损耗
快速软恢复反并联二极管
正V(CE(sat))温度系数
快速软恢复反并联二极管
符合JEDEC标准，符合UL94V0可燃性要求
平滑的开关行为避免电压超调，降低系统电磁干扰
无卤素包装和无铅处理
通过无铅认证
低的热阻
低电压(CE(sat))和低开关损耗
沟栅场阻挡技术
规范
-55°C至150°C工作结温度范围
集电极-发射极电压(CE)
50A直流集电极电流I(C)
应用程序
功率因数校正
焊接转换器
太阳能逆变器
工业逆变器
联合包裹
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