ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 igbt的介绍、特性、及应用
原标题:ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 igbt的介绍、特性、及应用
ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR AEC-Q101场止动沟槽igbt是10µs SCSOA (Short - Circuit Safety Operating Area)保证绝缘栅双极晶体管,适用于汽车和工业应用中的通用逆变器。RGS30TSX2DHR和RGS30TSX2HR提供低传导损耗,有助于减小尺寸和提高效率。这些器件采用了原始的槽栅和薄晶片技术。这些技术有助于实现低集电极-发射极饱和电压(V(CE(sat))和降低开关损耗。这些igbt在各种高压和大电流应用中提供了更多的节能。
Thye ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR &RGS30TSX2HR igbt采用TO-247N封装,符合AEC-Q101标准,可用于汽车应用。RGS30TSX2DHR还具有集成的快速恢复二极管(FRD)。
特性
AEC-Q101合格
10μs耐短路时间
内置FRD快速软恢复二极管(仅RGS30TSX2DHR)
1200V集电极-发射极电压(V(CES))
±30V栅极-发射极电压(V(GES))
1.7V集极饱和电压(V(CE(sat))
15A集电极电流(I(C))
7V栅极-发射极阈值电压(V(GE(th))
267W功耗(P(D))
-40°C至+175°C工作结温度范围
- 247 n包
无铅,符合RoHS
应用程序
汽车和工业用通用变频器
引脚图
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