原标题：Broadcom AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT 光电倍增管阵列

　　Broadcom/Avago AFBR-S4N66P024M 2×1 NUV-MT 硅光电倍增管 (SiPM) 阵列用于单光子的超灵敏精密测量。AFBR-S4N66P024M 提供两个 6mm × 6mm SiPM，以 2×1 元件阵列排列，间距为 7mm。通过平铺多个 AFBR-S4N66P024M 阵列，以 7 毫米的 SiPM 间距覆盖更大的区域。该阵列非常适合检测低电平脉冲光源，尤其是检测来自最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料(例如，LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、 BaF、LaBr3)。此外，该器件无铅且符合 RoHS。

　　特征

　　4×4 SiPM 阵列

　　阵列尺寸 16.00mm × 16.00mm

　　高 PDE(420nm 时为 63%)

　　出色的 SPTR 和 CRT

　　优异的击穿电压均匀性

　　优异的增益均匀性

　　4 面平铺，具有高填充系数

　　单元间距 40μm

　　高透明环氧树脂保护层

　　工作温度范围为 –20°C 至 +50°C

　　符合 RoHS、CFM 和 REACH 标准

　　应用

　　X 射线和伽马射线检测

　　伽马射线光谱

　　安全和安保

　　核医学

　　正电子发射断层扫描

　　生命科学

　　流式细胞仪

　　荧光 - 发光测量

　　时间相关单光子计数

　　高能物理

　　天体物理学