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ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT的介绍、特性、及应用
来源：
hqbuy
2022-06-28
类别：基础知识
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拍明芯城
原标题：ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT的介绍、特性、及应用
ROHM Semiconductor RGT20NL65场停止沟槽IGBT具有低集电极-发射极饱和电压，适用于一般逆变器，UPS，电源调节器和焊接应用。ROHM RGT20NL65场停止沟槽IGBT提供了5μs的短路耐受时间。此外，该器件指定为±30V栅极-发射极电压和20A @ 25°C集电极电流。
责任编辑：David
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