Anvo-Systems Dresden ANV32AA1串行nvSRAM的介绍、特性、及应用
原标题:Anvo-Systems Dresden ANV32AA1串行nvSRAM的介绍、特性、及应用
Anvo-Systems Dresden ANV32AA1串行nvSRAM是一个1Mb串行SRAM,每个存储单元包含一个非易失性SONOS存储元素,组织为每个8位128k字。设备被一个高速spi兼容总线访问。ANV32AA1A通过芯片使能引脚使能,通过由串行数据输入(SI)、串行数据输出(SO)和串行时钟(SCK)组成的3线接口访问。所有的编程周期都是自计时的,在存储之前不需要单独的擦除周期。
串行SRAM提供了快速访问和周期时间,易于使用,和无限读取&标准SRAM的写入耐力。专用安全功能,支持高数据精度。
通过安全的写操作,ANV32AA1A只有在传输了由17位地址和128字节数据生成的正确的2字节CRC时才接受地址和数据。损坏的数据不能覆盖现有的内存内容,甚至有效的数据也不会覆盖损坏的地址。使用状态寄存器第4位可以监视安全写操作的成功与否。在数据位损坏的情况下,4将被设置为volatile为high。
与安全读操作,ANV32AA1A计算正确的2字节CRC并行数据传输。2字节的CRC在128字节的数据被读出后被传输。
当检测到电力损失或任何停电情况(PowerStore操作)时,数据自动传输到非易失性存储单元。上电时,数据会自动恢复到SRAM (Power Up Recall操作)。
可以通过状态寄存器设置禁用PowerStore操作。存储和召回操作在指令控制下也可用。通过为状态寄存器编写保护块的四个选项之一来启用块写保护。16字节非易失性寄存器支持16字节用户定义序列号的选项。本登记册仅由客户控制。
特性
兼容串行外设接口(SPI)
支持SPI模式0和3
66 mhz时钟频率
块写保护
用于软件数据保护的写禁用指令
安全的写
安全的读
16字节的用户序列号
低待机电流的休眠模式
无限的读/写的耐力
自动非易失性存储电源关闭
指令控制下的非易失性存储
上电后自动召回SRAM
无限的回忆周期
100 k存储周期
100年的非易失性数据保留
3.0V ~ 3.6V电源
工业和工业温度
包装:产品有DFN
通过无铅认证
应用程序
工业
汽车
智能计量和智能电网
数据记录
框图
责任编辑:David
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