长电、高通(Qualcomm)15日共同宣布，硅晶圆超高密度凸块加工进入认证。这也标志着通过认证后，中芯长电将成为大陆首家跨入10纳米先进制程技术节点产业链的半导体企业。同时，中芯长电二期J2A厂房工程15日正式举行奠基仪式，及时为扩充先进制程产能做好充足准备。

根据研究机构Yole Development在2017年5月发布的《先进封装产业现状-2017版》报告指出，2016~2022年期间，先进封装产业总体营收的复合年成长率(CAGR)预计可达7%。在先进封装晶圆市占方面，长电科技则名列全球第三大封测企业。

中芯长电也积极布局迈入先进制程加工。今年7月已开始14纳米高密度凸块加工，成为大陆首家进入14纳米积体电路产业链的硅晶圆加工企业。而随着运营规模快速提升，月硅晶圆加工量已突破过万片;15日，又紧接着宣布与高通开始10纳米超高密度凸块加工的认证，标志着中芯长电迈入下一世代先进制程已达到国际客户技术能力的认可。

高通全球营运资深副总裁陈若文表示，先前中芯长电在28纳米、14纳米硅晶圆凸块加工大规模量产方面取得突出成绩。此次，10纳米超高密度凸块加工开始认证，表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展。未来，10纳米凸块加工将进一步强化与大陆半导体企业的合作布局。

中芯长电CEO崔东则坦言，投入10纳米这样的先进制程起步确实压力很大、门槛很高，但最终能实现高效、高品质、大规模的量产，并成功地在大陆领先建立了12吋凸块加工生产线。

此外，为扩充产能规模，中芯长电15日也举行二期J2A厂房工程奠基仪式。中芯长电表示，一期营运所使用的生产厂房为租赁长电科技厂房改造而成;二期项目由中芯长电公司自建，项目占地共273亩，将建设三个先进的硅片加工厂，从事先进的中段硅片和3D系统集成芯片研发和制造。

而本次举行奠基仪式的是二期专案规划三座厂房中第一座的J2A厂房项目。项目占地面积总共近18,000平方公尺，建筑面积超过62,000平方公尺。二期项目建设，将确保公司有条件及时扩大产能规模，并及时抓住先进制程技术节点、先进硅晶圆级封装的市场需求。

【相关信息】10纳米节点，晶圆代工谁能笑到最后?

台积电、三星和英特尔三大晶圆制造代工厂在14/16纳米FinFET工艺逐步开始量产出货之后，市场关注的焦点开始转向10纳米。作为摩尔定律的下一个节点，10纳米的重要性显然不仅是技术进步那么简单，在全球代工阵营竞争格局逐渐由台积电一家独霸，转向三足鼎立之势的今天，对先进工艺的竞逐带有了更多市场示范意义：14/16纳米上的竞争各家不分高下，在10纳米上或许将一决雌雄?

台积电的强势地位开始动摇

随着28纳米工艺日渐成熟，HKMG工艺平台已被联电、中芯国际等企业掌握，全球代工业的竞争格局也随之发生变化，第一阵营已经从28纳米HKMG工艺平台时代的台积电一家独霸，开始朝14/16纳米FinFET工艺平台时代的台积电、三星、英特尔三足鼎立之势发展了。

半导体专家莫大康介绍，张忠谋于2009年第二次复出之后，台积电一度出现压倒一切的气势，代工龙头地位持续增强。据Gartner数据，2014年的全球代工销售额470亿美元，台积电以251亿美元占53%，增长达25.2%。

然而任何独霸总不能持久是客观规律。种种迹象表明，目前台积电的强势地位开始动摇。

一方面，台积电在28纳米上的垄断地位已经不再。有业界人士估算此前全球代工业中28纳米的订单80%落入台积电手中，代工80%以上的总利润由它独家享用。可是如今联电、格罗方德，甚至中芯国际都赶了上来，这必然会影响台积电的营收增长。

另一方面，晶圆代工市场前景持续看好，招来了众多新进者的加入，其中不少是佼佼者，包括如原本是IDM的英特尔和三星。

预估2015年整体晶圆代工的产值(包括IDM中代工)可达542亿美元，较2014年成长15.1%，展望未来晶圆代工市场仍旧能够维持2位数的年增长率，预估到2017年整体晶圆代工产值可达750亿美元。

英特尔、三星及台积电是全球芯片制造业中的前三甲。三家公司都在不断强化其14/16纳米平台。由于历史背景各异,情况处于不断变化之中,但是至少目前三足鼎立局面己经基本确立。

苹果的订单影响代工竞争格局?

鼎足之势即成，三家企业的竞争焦点自然聚焦于先进工艺的争夺上，这部分的利润最高，以前是14/16纳米，现在则是10纳米。

英特尔在10纳米上动手最早，外界一度预期英特尔10纳米产品将在2016年年底或2017年年初时推出。不过，日前英特尔CEO科再奇宣布将顺延，第一代10纳米Cannonlake产品预计将在2017年下半年问世。过去英特尔从22纳米推进至14纳米亦出现延期，科再奇认为，迈进新节点出现延误，主要与光刻技术和多重曝光工艺有关。

台积电共同执行长刘德音在2015年全球技术研讨会上表示，10纳米制程发展尚在轨道上，预计2017年初可望出货。相较16纳米制程，10纳米制程速度快上15%、功耗减少35%，并拥有2倍闸极密度。

三星电子在今年第一季财报电话会议时，也宣布了10纳米制程将依计划在2016年底量产，不过现在传出将提早到2016年年中量产。

之所以三家企业在10纳米上的竞争如此激烈，与其说是技术之争，不如说是市场之争。“先进工艺的开发和量产有一种明星效应，率先推出的意义不仅是技术上的，还与品牌效应有关，是技术与商务营销的综合考虑。”应用材料公司赵甘鸣博士指出。

如果说英特尔和三星在代工领域对台积电形成挑战是在14/16纳米FinFET工艺平台，随着三家企业的14/16纳米代工都已经量产出货，竞争的焦点自然转向到下一个节点，三家希望都在10纳米上甩开竞争对手。

更关键的是，随着半导体制造进入1X纳米时代，能够承担得起动辄上亿美元开发费用的IC设计企业和产品类型已经越来越少了，苹果、高通、博通、联发科、Nvidia、Altera、Xilin，代工厂的客户(即IC设计公司)也越来越集中。

“大型IC设计企业往往是代工厂争夺的对象，因为它们对于代工厂保持客户稳定、产量稳定和产能优化安排都有好处。”清华大学微电子所所长魏少军向《中国电子报》记者指出。在一定程度上，苹果的订单甚至可以决定几家代工厂的业绩好坏。

10纳米的竞争谁会笑到最后?

那么，10纳米的竞争谁会笑到最后呢?目前尚难有定论。依照现在三家企业宣布的时间表来做判断也不准确。毕竟14/16纳米量产时就经过了多次“跳票”。更重要的是，从2015年下半年开始，全球半导体业开始趋冷。这给代工业的竞争平添了变数。

根据美国半导体产业协会(SIA)的最新统计数字，2015年第三季全球半导体销售额为852亿美元，较2014年同期减少3%，预计明年半导体业发展势头也不乐观。麦肯锡半导体行业合伙人Christopher Thomas认为，半导体市场低迷将导致竞争更为激烈、定价和利润压力增大，资本支出减少和更多的并购。

今年，英特尔、台积电、三星已经相继下修全年资本支出，透露各厂对明年半导体产业持保守态度。其中，台积电已经两度调降资本支出，由原105亿～110亿美元调降至80亿美元，降幅达24%～27%;三星的资本支出由135.78亿美元，降至130亿美元，降幅4.3%;英特尔由101.05亿美元，降至72亿美元，降幅高达28.7%。

“三家企业调降资本支出，受影响更大的应当已量产的各项工艺产能，对于新工艺开发的影响相对较小。毕竟，对于争夺‘首先量产10纳米工艺’的桂冠，各家企业都十分重视。相信那部分研发预算是不会轻易动的。”赵甘鸣认为。

不过，压缩资本支出毕竟是一种对未来市场信心不足的表示，也会对10纳米研发出来后的产量的提升有所影响。这必然会影响到未来代工产业的竞争格局。

总之，10纳米虽然没有量产已经吸引足了业界的目光。它的开发进程仍受到持续关注，亦将影响到未来全球代工业首发阵营的竞争格局。下一步的形势如何发展，还需要仔细观察。

表1：半导体三强先进工艺开发进程与资本支出概况