三菱电机推出1200V SiC MOSFET
来源:
维库电子网
2020-06-22
类别:新品快报
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拍明
原标题:三菱电机推出1200V SiC MOSFET
三菱电机日前推出其N系列1200V碳化硅(SiC)MOSFET,具有低功耗和高容限等特性。
具体来说,结型场效应晶体管(JFET)掺杂技术可降低开关损耗和导通电阻,从而实现了1450mΩ内阻。与使用常规的IGBT相比,功耗降低了约85%。
据称,通过降低镜像电容(MOSFET结构中栅极和漏极之间的杂散电容Crss),自导通容差比竞争对手的产品提高了14倍,因此可以实现快速的开关操作,有助于减少开关损耗。
降低的开关功率损耗之后可以选择更高载频的功率半导体,散热器可实现小型化和简化,以及诸如电抗器之类的外围组件的小型化,从而有助于降低整个电源系统的成本和尺寸。
该公司表示,新系列产品可以帮助减少需要高压转换的小型电源系统的功耗,例如电动汽车(EV)车载充电器,光伏电源系统等。
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