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LET9045C
型号

LET9045C

品牌:
   信盛精工
应用:
封装:
描述:MOSFET N-CH 80V 9A M-250
品牌官网: www.stm.com.tw
参数
数值
包装
电压电源
工作温度
封装外壳
系列
文档
LET9045CViewAllSpecifications
其他相关文件
LET9045CViewAllSpecifications
标准包装
50
晶体管类型
LDMOS
增益
17.7dB
电压-测试
28V
电流-测试
300mA
Power-输出功率
59W
电压-额定
80V
包/盒
M243
供应商器件封装
M243
包装材料
Tray
供应商封装形式
CaseM-243
欧盟RoHS指令
Compliant
最高工作温度
200
输出功率
59(Typ)
最低工作温度
-65
TypicalDrainEfficiency
65
渠道类型
N
典型功率增益
17.7
最大漏源电压
80
每个芯片的元件数
1
典型输入电容@VDS
58@28V
最大功率耗散
108000
最大连续漏极电流
9
引脚数
3
单位包
25
最小起订量
50
标准包装
25
供应商设备封装
M243
封装
Tray
封装/外壳
M243
功率-输出
59W
RoHS指令
Leadfree/RoHSCompliant
安装风格
SMD/SMT
产品种类
TransistorsRFMOSFET
晶体管极性
N-Channel
源极击穿电压
15V
连续漏极电流
9A
输出功率
70W
配置
Single
最高工作温度
+150C
漏源击穿电压
80V
安装
Screw
工作温度范围
-65Cto200C
包装类型
CaseM-243
元件数
1
筛选等级
Military
弧度硬化
No
频率(最大)
1000MHz
正向跨导(典型值)
2.5(Min)S
输入电容(典型值)@VDS
58@28VpF
漏极效率(典型值)
65%
反向电容(典型值)
0.8@28VpF
功率耗散(最大)
108000mW
系列
LET9045
Id-ContinuousDrainCurrent
9A
工厂包装数量
50
类型
RFPowerMOSFET
Vds-Drain-SourceBreakdownVolta...
80V
Pd-PowerDissipation
108W
技术
Si
Q
A

平台购物流程是怎样的?

注册/登录 --搜索型号 --加入购物车/直接购买 -- 填写并核对订单--提交订单 -- 待订单审核-- 下载合同-- 合同盖章上传-- 付款-- 待收货 -- 确认收货--申请开票

Q
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平台商品来源有保障吗?

拍明芯城设有专业的渠道管理部,对商家(原厂/代理资质)进行严格的资质审核,商家通过资质审核方可拥有上架商品权限;拍明芯城比任何一位客户都注重商品的渠道和质量,所售商品100%经平台验货,确保100%正品!您可以放心选购。

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平台上展示的商品数量、价格及相关信息准确吗?

平台上的商品信息均是经过拍明芯城严格筛选过滤的真实供货信息,您可以放心选购,如果您喜欢的宝贝放入了购物车,请及时下单和付款,避免紧缺现货被其他买家抢先买走。您下单后,您也可以催促客服尽快交付货物。

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平台下单后什么时候能发货?多久能到?

拍明芯城的每条供货信息均提供了交货时间,您可选择满足您要求的交货时间来下单,我们会接单并收款后严格按照承诺的交期给您发货。

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Q
A

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