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2N7002-7-F
型号

2N7002-7-F

品牌:
   美台
类别: IGBT阵列
应用:
封装: SOT23
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 115 mA, 60 V, 13.5 ohm, 10 V, 2.5 V
品牌官网: www.diodes.com
参数
数值
包装
Tape & Reel
电压电源
60 V
工作温度
-55 to +150
封装外壳
SOT23
系列
Pd-功率耗散
540mW
Vgs-栅极-源极电压
10V
Id-连续漏极电流
210mA
产品类型
MOSFET
技术
Si
制造商
DiodesIncorporated
类型
EnhancementModeFieldEffectTransistor
最小工作温度
-55C
Qg-栅极电荷
223pC
上升时间
3ns
商标
DiodesIncorporated
封装
Reel
最大工作温度
+150C
单位重量
8mg
安装风格
SMD/SMT
通道模式
Enhancement
正向跨导-最小值
80mS
下降时间
5.6ns
封装/箱体
SOT-23-3
Vds-漏源极击穿电压
60V
系列
2N7002
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
2.8ns
产品种类
MOSFET
工厂包装数量
3000
晶体管极性
N-Channel
晶体管类型
1N-Channel
Vgsth-栅源极阈值电压
1V
通道数量
1Channel
产品
MOSFETSmallSignal
RdsOn-漏源导通电阻
5Ohms
配置
Single
典型关闭延迟时间
7.6ns
晶体管封装类型
SOT-23
功耗Pd
300mW
Vds
60V
汽车质量标准
-MSL
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
阈值电压Vgs
2.5V
电压@Rds测量
10V
在电阻RDS(上)
13.5ohm
Id连续
115mA
针脚数
3引脚
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