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IS61WV51216EDALL-20TLI
型号

IS61WV51216EDALL-20TLI

品牌:
   芯成
类别: SRAM
应用:
封装:
描述:静态随机存取存储器 8M (512Kx16) 20ns Async 静态随机存取存储器 1.65-2.2V
品牌官网: www.issi.com
参数
数值
包装
-
电压电源
1.65 V ~ 2.2 V
工作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
封装外壳
-
系列
-
Memory Interface
Parallel
Clock Frequency
-
Write Cycle Time - Word, Page
20ns
Mounting Type
-
Supplier Device Package
-
Memory Type
Volatile
Access Time
20ns
Memory Size
8Mb (512K x 16)
Part Status
Active
Memory Format
SRAM
Technology
SRAM - Asynchronous
电源电压-最大
2.2 V
产品类型
SRAM
系列
IS61WV51216EDALL
子类别
Memory & Data Storage
制造商
ISSI
组织
512 k x 16
类型
High Speed
产品种类
静态随机存取存储器
电源电压-最小
1.65 V
最小工作温度
- 40 C
存储类型
SRAM
电源电流—最大值
40 mA
存储容量
8 Mbit
封装 / 箱体
TSOP-44
工厂包装数量
135
商标
ISSI
封装
Bulk
最大工作温度
+ 85 C
访问时间
20 ns
安装风格
SMD/SMT
Q
A

平台购物流程是怎样的?

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