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安森美
安森美半导体有限公司推动能效创新,帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合,具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案,能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序,在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。
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onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet的...
onsemi NTJD5121N/NVJD5121N双N-Ch功率mosfet具有较低的RDS(on)、栅极阈值和输入电容。onsemi NTJD5121N/NVJD5121N mosfet具有60V漏源电压和295A最大连续漏极电流。NTJD5121N/NVJD5121N具有AEC-Q101认证和PPAP功能,是汽车应用的理想选择。特性...
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2024-01
onsemi 1SMA59 1.5W齐纳二极管稳压器的介绍、特性、及应用
onsemi 1SMA59 1.5W齐纳二极管稳压器提供3.3V至68V的标准齐纳击穿电压范围。onsemi 1SMA59可满足各种电压调节需求。每个人体模型的ESD等级为3级(大于16kV),该设备可确保对静电放电提供强大的保护。该设备具有平坦的处理表面,便于在组装过程中精确放置。1SMA59是MELF封装的理想替代品,结合了可靠性和易...
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2024-01
onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用
onsemi NTMYS003N n沟道功率MOSFET专为紧凑高效的设计而设计,采用5mm x 6mm LFPAK封装。该功率MOSFET具有低R(DS(ON)),低Q(G)和电容,80V漏源电压,±20V栅源电压,-55°C至175°C工作结和存储温度范围。NTMYS003N n沟道功率MOSFET无铅,符合RoHS标准。典型应用包括...
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2024-01
onsemi BASH16MX2W小信号开关二极管(SOT-23三导联器件)的介...
onsemi BASH16MX2W小信号开关二极管源自流行的SOT-23三导联器件。onsemi BASH16MX2W专为低功耗表面贴装应用中的高效开关而设计。该器件采用紧凑的X2DFNW2 (1.0mm x 0.6mm)封装,非常适合有限的电路板空间。特性175°C T(J(max)) -适用于高温,关键任务应用NSV前缀用于汽车和其他...
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2024-01
onsemi ESD7004 ESD保护二极管的介绍、特性、及应用
onsemi ESD7004 ESD保护二极管保护高速数据线免受静电放电(ESD)的影响。onsemi ESD7004具有超低电容和低ESD箝位电压。该设备非常适合保护USB 3.0和HDMI等对电压敏感的高速数据线。流动式封装允许简单的PCB布局,并确保匹配的走线长度,保持一致的阻抗。特性低电容(典型0.4pF, I/O到GND)符合I...
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2024-01
onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet的介绍、特性、...
onsemi NVMFWS003N10MC单n沟道功率mosfet在10V R(DS(ON))和100V漏源电压下提供169A连续漏极电流3.1毫欧。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装,设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能,是汽车应用的理想选择。特性占地面积小(5...
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2024-01
onsemi SZNUP3125双线CAN总线保护器的介绍、特性、及应用
onsemi SZNUP3125双线CAN总线保护器旨在保护24V设计中的CAN收发器免受ESD和其他有害的浪涌保护事件的影响。该母线保护器具有单线峰值功耗120W (8/20s波形),反向漏电流小于100nA,二极管电容匹配。SZNUP3125双线CAN总线保护器通过单个紧凑的SC-70 (SOT-323)封装为每条数据线提供双向保护。...
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2024-01
onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III型MOSF...
onsemi NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET是一款采用电荷平衡技术的高压超级结(SJ) MOSFET。这种功率MOSFET提供更少的传导损耗,优越的开关性能,并承受极端的dv/dt速率。NVBG095N65S3F n沟道superet III MOSFET优化了主体二极管的反向恢复性能,从而消除了额...
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2024-01
onsemi NCV59801高精度LDO稳压器的介绍、特性、及应用
onsemi NCV59801高精度低差(LDO)稳压器是1A器件,具有高PSRR,低噪声和功率良好的开路集电极输出。NCV59801稳压器专为满足RF/敏感模拟电路的要求而设计,提供低静态电流,可调节输出电压至0.6V。该器件采用行业标准DFNW8 0.65P (3mm x 3mm)和WDFNW6 0.65P (2mm x 2mm)封装...
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2023-12
onsemi NCV8189高精度LDO稳压器的介绍、特性、及应用
Onsemi NCV8189高精度低差(LDO)稳压器是0.5A器件,提供低噪声,低静态电流,下一代高PSRR和Power Good开路集电极输出。NCV8189稳压器允许调整输出电压低至0.6V和优秀的负载/线路瞬态。NCV8189设计用于4.7µF输入和输出陶瓷电容器。onsemi NCV8189 LDO稳压器专为满足RF/敏感模拟电...
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