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安森美
安森美半导体有限公司推动能效创新,帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合,具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案,能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序,在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。
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onsemi NCP51313栅极驱动器的介绍、特性、及应用
onsemi NCP51313栅极驱动器是高性能的130V高压驱动器,专为DC-DC电源和逆变器设计。onsemi NCP51313具有强大的2.0A源和3.0A汇聚驱动能力。该装置在高频率下提供高效电力方面表现出色。NCP51313具有一流的特性,包括低静态电流和低开关电流,确保了最佳性能。特性2.0A/3.0A电流能力非常快的传播延迟...
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2024-02
onsemi NCD57100栅极驱动器的介绍、特性、及应用
onsemi NCD57100栅极驱动器是具有内部电流隔离的大电流单通道IGBT驱动器。onsemi NCD57100专为提高高功率应用中的系统效率和可靠性而设计。显著的特点包括互补输入、漏路故障和READY输出。NCx5710y变体在输入端可容纳5V和3.3V信号,在驱动端具有宽偏置电压范围,包括负电压能力。特性高电流输出(±7A)在米...
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2024-02
onsemi nvh045n065sc1碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用
onsemi nvh045n065sc1碳化硅(SiC) mosfet采用EliteSiC技术,提供卓越的开关性能。与传统的硅mosfet相比,onsemi NVHL045N065SC1具有更高的可靠性。mosfet的低ON电阻和紧凑的芯片尺寸导致低电容和栅极电荷,有助于高效率,快速工作频率,增加功率密度,减少电磁干扰(EMI),以及更紧...
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2024-02
onsemi nvh025n065sc1碳化硅mosfet的介绍、特性、及应用
onsemi nvh025n065sc1碳化硅(SiC) mosfet是EliteSiC 25毫欧, 650V mosfet,提供卓越的开关性能。与硅相比,onsemi nvh025n065sc1具有更高的可靠性和低导通电阻。mosfet紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。系统的优点包括高效率、快速工作频率、增加功率密度、减少EMI和减...
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2024-02
onsemi NL7SZ58可配置多功能门(高速CMOS器件)的介绍、特性、及应...
onsemi NL7SZ58可配置多功能门是一款先进的高速CMOS器件,允许用户选择逻辑功能AND, OR, NAND, NOR, XOR, INVERT和BUFFER。该设备具有施密特触发输入,从而增强了抗噪声能力。NL7SZ58输入和输出结构在电压高达5.5V时提供保护,无论电源电压如何。应用程序包括用于手持设备的通用逻辑,包括pda...
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2024-02
onsemi NL17SZS11单3输入与门具有施密特触发器的介绍、特性、及应用...
onsemi NL17SZS11单3输入与门具有施密特触发器在一个很小的封装(SC-88)。工作在-55°C至+125°C的温度范围内,NL17SZS11设计用于1.65V至5.5V (CC)(电压公共收集器)工作。输入和输出的过压容忍度高达5.5V。应用包括I/O接口、PMBus、手机和汽车。特性设计为1.65V至5.5V V(CC)工...
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2024-02
onsemi NL17SZU04A单无缓冲逆变器的介绍、特性、及应用
onsemi NL17SZU04A单无缓冲逆变器的工作电压为1.65V至5.5V,可采用SC70/SC88a/SOT-353封装或微小的1.6mm x 1.6mm x 0.6mm SOT553封装。NL17SZU04A逆变器适用于一般用途,适用于许多不同的应用。工作温度范围为-55°C至+125°C,输入过压容限高达5.5V。特性设计为1...
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2024-02
onsemi NL7SZ19 1对2解码器/解复用器的介绍、特性、及应用
onsemi NL7SZ19 1对2解码器/解复用器适用于各种低功耗解码应用。NL7SZ19为1对2解码器,当输出使能(EB)低时,器件将输入a处的数据传递到输出Y0(真)和Y1(补)。该器件还可以用作1对2解复用器。作为解复用器,根据a的状态,输入EB的数据被路由到Y0或Y1。NL7SZ19工作电压范围为1.65V至5.5V,采用亚微米...
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2024-02
onsemi NVXR22S90M2SPx Elite SiC电源模块的介绍、特...
onsemi NVXR22S90M2SPx EliteSiC电源模块以紧凑兼容的封装提供更高的性能、效率和功率密度。onsemi NVXR22S90M2SPx模块采用六封装配置的900V SiC MOSFET,具有压合引脚,易于组装并增强了可靠性。该器件包括一个优化的底板上的引脚翅片散热器,并利用烧结技术来提高可靠性和热效率。该模块的设计...
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2024-02
onsemi NVXR17S90M2SPx Elite SiC功率模块的介绍、特...
onsemi NVXR17S90M2SPx EliteSiC功率模块可提高效率、功率密度和整体性能。onsemi NVXR17S90M2SPx模块将900V SiC MOSFET集成在一个方便的六封装配置中。该模块具有用于信号端子的压合引脚,易于组装并提高了可靠性。此外,该器件在底板中包括一个优化的引脚翅片散热器,用于有效散热。模具附件采...
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