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安森美半导体有限公司推动能效创新,帮助客户减少总体能源使用。 公司提供种类全面的产品组合,具体包括高能效电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案,能帮助设计工程师解决在汽车、通信、计算、消费电子、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源应用方面的独特设计难题。 ON Semiconductor 拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序,在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中运营着包括制造工厂、销售办事处及设计中心在内的网络。
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onsemi ESDM1053 ESD保护二极管的介绍、特性、及应用
onsemi ESDM1053 ESD保护二极管保护电压敏感元件免受ESD的影响,具有一流的箝位,低泄漏和快速响应时间。onsemi ESDM1053封装尺寸紧凑。该器件非常适合智能手机、智能手表和其他电路板空间有限的便携式/可穿戴设备。特性低电容(5.5pF型,I/O到GND)01005尺寸:0.435mm × 0.230mm小体外形尺...
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2024-03
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模块(双半桥80V汽车功率M...
onsemi NXV08H350XT1 MOSFET模块是一款双半桥80V汽车功率MOSFET模块,具有温度传感功能,适用于48V轻度混合动力汽车应用。该2相功率MOSFET模块采用直接键合铜(DBC)衬底进行电隔离,以实现低Rthjc。NXV08H350XT1模块设计紧凑,模块总电阻低,系统设计小巧、高效、可靠,降低了车辆油耗和CO(2...
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2024-03
onsemi NTMFS005P03P8Z单p沟道功率MOSFET(功率负载开关...
onsemi NTMFS005P03P8Z单p通道功率MOSFET是功率负载开关,电池管理和保护(反向电流,过压和反向负电压)的理想选择。NTMFS005P03P8Z在-55°C至+150°C结温范围内工作,提供-30V漏源电压,10V导通电阻2.7毫欧和164A漏源/待机电流。onsemi NTMFS005P03P8Z封装在5mm x ...
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2024-03
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅肖特基二极管的介绍、特性、及应...
onsemi NDSH40120C-F155碳化硅(SiC)肖特基二极管与硅相比具有卓越的开关性能和更高的可靠性。NDSH40120C-F155具有无反向恢复电流、不依赖温度的开关特性和优异的热性能。这种EliteSiC二极管提供了一个正的温度系数和易于并联。系统的优点包括效率高、工作频率快、功率密度高、EMI低、系统尺寸小、成本低。应用...
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2024-03
onsemi NVHL060N065SC1单n沟道MOSFET的介绍、特性、及应...
onsemi NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V, 60毫欧(类型)和47A单n沟道MOSFET,采用紧凑高效的设计,具有高热性能。与硅相比,该MOSFET采用了一种全新的技术,提供了卓越的开关性能和高可靠性。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。NVHL060N065SC1功率MO...
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2024-03
onsemi NVMFWS002N10MCL单n沟道功率mosfet的介绍、特性...
onsemi NVMFWS002N10MCL单n沟道功率mosfet具有177A连续漏极电流,2.8毫欧在10V R(DS(ON))和100V漏极源电压。NVMFWS002N10MCL采用5mm x 6mm平面引线封装,设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能,是汽车应用的理想选择。特性占地面积小...
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2024-03
onsemi NVMFS5C604N单n沟道功率MOSFET的介绍、特性、及应用...
onsemi NVMFS5C604N单n通道功率MOSFET具有288A连续漏极电流,1.2毫欧在10V R(DS(ON))和60V漏源电压。NVMFS5C604N采用5mm x 6mm平面引线封装,设计紧凑高效。onsemi aec - q101合格的MOSFET具有ppap功能,是汽车应用的理想选择。特性占地面积小(5mm x 6mm...
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2024-03
onsemi NC7SZU04A缓冲器的介绍、特性、及应用
onsemi NC7SZU04A缓冲器是TinyLogic 超高速系列器件的一部分。onsemi NC7SZU04A具有专门的电路设计,适用于晶体振荡器或模拟应用。利用先进的CMOS技术,该器件实现了超高速,具有强大的输出驱动,同时在宽V(CC)工作范围内保持低静态功耗。该器件被指定在1.65V至5.5V V(CC)范围内工作,在各种电压...
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2024-03
onsemi MC74HC1G04 CMOS单逆变器(硅栅CMOS技术)的介绍、...
onsemi MC74HC1G04 CMOS单逆变器采用硅栅CMOS技术。onsemi MC74HC1G04具有多个级,包括一个缓冲输出,具有高抗噪性和稳定的输出。输出驱动电流为MC74HC系列的1/2。特性在V(CC) = 5V高速时,t(PD) = 7ns (type)当T(A) = +25℃时,I(CC) = 1A(最大值)高抗噪性...
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2024-03
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT(第四代现场停止IG...
onsemi 50t65rqdn 650V 50A IGBT是采用创新技术的第四代现场停止IGBT。onsemi 50t65rqdn为太阳能逆变器、UPS、焊机、电信、ESS和PFC应用提供最佳性能。该器件确保最小的传导和开关损耗。特性T(J) = 175℃最高结温正温度系数,便于平行操作大电流的能力低饱和电压V(CE(Sat)) = 1...
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