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AP4438
加入对比品牌： ALLPOWER
封装： SOT89-3
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：11.8A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@10V,11A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 30V 11.8A
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10 + |
￥ 0.48991 |
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100 + |
￥ 0.391759 |
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10 + |
＄ 0.070703 |
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100 + |
＄ 0.056538 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 10 / 递增量 10
| 参数 | 数值 |
|---|---|
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阈值电压Vgs(th)
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3V@250µA
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FET类型
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N沟道
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原产国家
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China
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零件状态
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在售
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漏源电压(Vdss)
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30V
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连续漏极电流Id@25℃
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11.8A
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导通电阻RdsOn(Max)
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18mΩ
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栅极电荷(Qg)(Max)
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16.8nC
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输入电容(Ciss)(Max)
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1280pF
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功率(Max)
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2.5W
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工作温度(Tj)
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-55°C~150°C
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