恒捷供应链
PPMT30V4
加入对比品牌： PRISEMI
封装： SOT-23
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.2A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.3V@250μA P沟,-30V,-4.2A,53mΩ@-10V
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10 + |
￥ 0.221276 |
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100 + |
￥ 0.217959 |
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600 + |
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￥ 0.148858 |
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10 + |
＄ 0.031934 |
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100 + |
＄ 0.031456 |
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600 + |
＄ 0.021483 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 10 / 递增量 10
| 参数 | 数值 |
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FET类型
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P沟道
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零件状态
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在售
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漏源电压(Vdss)
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30V
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连续漏极电流Id@25℃
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4.2A
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导通电阻RdsOn(Max)
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60mΩ
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输入电容(Ciss)(Max)
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950pF
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功率(Max)
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1.2W
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