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BC849CLT1G

BC849CLT1G

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品牌: ONSEMI

封装: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

类别: IGBT阵列

描述: 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 225 mW, 100 mA, 420 hFE

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批次: 2343
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起订量 1 / 递增量 1

购买金额:
参数 数值
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
600mV @ 5mA, 100mA
跃迁频率
100MHz
功率 - 最大值
300mW
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
30V
电流 - 集电极截止(最大值)
15nA (ICBO)
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
420 @ 2mA, 5V
Vceo
30V
hFE
420hFE
晶体管封装类型
SOT-23
晶体管极性
NPN
功耗Pd
225mW
集电极直流电流
100mA
汽车质量标准
-MSL
工作温度最高值
150°C
产品范围
-
ft
100MHz
针脚数
3引脚

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