恒捷供应链
NCE60P12K
加入对比品牌： NCE
封装： TO-252(DPAK)
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： VDS=-60V ID=-12A PD=50W VGS=±20V
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5 + |
￥ 1.392883 |
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50 + |
￥ 1.082947 |
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500 + |
￥ 1.066704 |
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1000 + |
￥ 1.034701 |
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5 + |
＄ 0.201019 |
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50 + |
＄ 0.15629 |
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500 + |
＄ 0.153946 |
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1000 + |
＄ 0.149327 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 5 / 递增量 5
| 参数 | 数值 |
|---|---|
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阈值电压Vgs(th)
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2.2V@250µA
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漏极电流Idss
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1uA
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FET类型
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P沟道
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元件生命周期
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Active
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原产国家
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China
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漏源极电压（Vdss）
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60V
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零件状态
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在售
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漏源电压(Vdss)
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60V
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连续漏极电流Id@25℃
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30A
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导通电阻RdsOn(Max)
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100mΩ
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栅极电荷(Qg)(Max)
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37.6nC
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功率(Max)
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60W
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工作温度(Tj)
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-55°C~175°C
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