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AP3908GD

品牌: ALLPOWER

类别: 射频用FET/MOSFET

描述: 类型:1个N沟道和1个P沟道

数量梯度
单价

1 +

¥ 1.017388

(人民币单价(含13%税))

交货地:
香港 (6工作日)
内地 (3工作日)
库存 30
最小包装: 1
批次: null
购买数量:

起订量 1 / 递增量 1

购买金额:
参数 数值
阈值电压Vgs(th)
1.5V@250µA
FET类型
N+P沟道
原产国家
China
零件状态
在售
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流Id@25℃
36A,-25A
导通电阻RdsOn(Max)
19mΩ
栅极电荷(Qg)(Max)
19nC
输入电容(Ciss)(Max)
900pF
功率(Max)
32W
工作温度(Tj)
150°C

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