|
1 + |
¥ 1.46958 |
|
|
10 + |
¥ 1.3608 |
|
|
100 + |
¥ 1.259895 |
|
|
200 + |
|
¥ 1.2096 |
|
1 + |
$ 0.212088 |
|
|
10 + |
$ 0.196389 |
|
|
100 + |
$ 0.181827 |
|
|
200 + |
$ 0.174568 |
|
|
(人民币单价(含13%税)) |
||
起订量 1 / 递增量 1
| 参数 | 数值 |
|---|---|
|
封装 / Package
|
MLP 2x2 6L (MicroFET)
|
|
结构 / Configuration
|
Single
|
|
类型 / MosfetType
|
N
|
|
漏极源极电压 / VDS(V)
|
20
|
|
栅极源极电压 / VGS(V)
|
8
|
|
栅极阈值电压 / Vth Max(V)
|
0.4
|
|
漏极源极导通电阻(mΩ) RDS Max at 10V
|
-
|
|
漏极源极导通电阻(mΩ) RDS Max at 4.5V
|
23
|
|
输入电容 / Ciss(pF)
|
-
|
|
输出电容 / Coss(pF)
|
-
|
|
反向传输电容 / Crss(pF)
|
-
|
|
总栅极电荷 / Qg(nC)
|
10nC@VGS=4.5V
|
|
栅极源极电荷 / Qgs(nC)
|
-
|
|
栅极漏极电荷 / Qgd(nC)
|
-
|
|
漏极电流 / ID(A) TA=25℃
|
9.5
|
|
漏极电流 / ID(A) TA=70℃
|
-
|
|
最大耗散功率 / Pd(W)
|
-
|
|
FET型
|
N-Channel
|
|
RDS(ON)(最大值)@标识,栅极电压
|
23mOhm@9.5A,4.5V
|
|
功率耗散(最大)
|
2.4W(Ta)
|
|
VGS(TH)(最大)@标识
|
1V@250A
|
|
漏极至源极电压(Vdss)
|
20V
|
|
包
|
6-MicroFET(2x2)
|
|
工作温度
|
-55C~150C(TJ)
|
平台购物流程是怎样的?
平台商品来源有保障吗?
平台上展示的商品数量、价格及相关信息准确吗?
平台支持BOM询价吗?

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