恒捷供应链
LSI1012XT1G
加入对比品牌： TAK CHEONG
封装： SOT-523
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： N沟道 VDS=20V VGS=±6V ID=600mA P=150mW
数量梯度
单价
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20 + |
￥ 0.160436 |
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20 + |
＄ 0.023154 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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交货地：
香港 (6工作日)
内地 (3工作日)
库存 20
最小包装：
3000
批次：
购买数量：
起订量 20 / 递增量 20
购买金额：
￥
| 参数 | 数值 |
|---|---|
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阈值电压Vgs(th)
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900mV@250µA
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漏极电流Idss
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600mA
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FET类型
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N沟道
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漏源极电压（Vdss）
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20V
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漏源电压(Vdss)
|
20V
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连续漏极电流Id@25℃
|
500mA
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导通电阻RdsOn(Max)
|
700mΩ
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功率(Max)
|
150mW
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