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AP2N7002
加入对比品牌： ALLPOWER
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：450mA 功率(Pd)：700mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,450mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 60V 450mA
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1 + |
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￥ 0.107908 |
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1 + |
＄ 0.015573 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 1 / 递增量 1
| 参数 | 数值 |
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阈值电压Vgs(th)
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2.5V@250µA
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FET类型
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N沟道
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原产国家
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China
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零件状态
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在售
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漏源电压(Vdss)
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60V
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连续漏极电流Id@25℃
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450mA
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导通电阻RdsOn(Max)
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4Ω
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栅极电荷(Qg)(Max)
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1.6nC
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输入电容(Ciss)(Max)
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50pF
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功率(Max)
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700mW
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工作温度(Tj)
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-50°C~150°C
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