恒捷供应链
NDS331N
加入对比品牌： ONSEMI/FAIRCHILD
类别： FET/MOSFET 单体
描述： MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3
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1 + |
￥ 0.46746 |
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100 + |
￥ 0.457072 |
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1000 + |
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￥ 0.446684 |
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1 + |
＄ 0.067463 |
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100 + |
＄ 0.065964 |
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1000 + |
＄ 0.064465 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 1 / 递增量 1
| 参数 | 数值 |
|---|---|
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封装 / Package
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SSOT 3L
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结构 / Configuration
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Single
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类型 / MosfetType
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N
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漏极源极电压 / VDS(V)
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20
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栅极源极电压 / VGS(V)
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8
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栅极阈值电压 / Vth Max(V)
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0.5
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漏极源极导通电阻(mΩ) RDS Max at 10V
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210
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漏极源极导通电阻(mΩ) RDS Max at 4.5V
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160
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输入电容 / Ciss(pF)
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-
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输出电容 / Coss(pF)
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-
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反向传输电容 / Crss(pF)
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-
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总栅极电荷 / Qg(nC)
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3.5nC@VGS=4.5V
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栅极源极电荷 / Qgs(nC)
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-
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栅极漏极电荷 / Qgd(nC)
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-
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漏极电流 / ID(A) TA=25℃
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1.3
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漏极电流 / ID(A) TA=70℃
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-
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最大耗散功率 / Pd(W)
|
-
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FET型
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N-Channel
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RDS（ON）（最大值）@标识，栅极电压
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160mOhm@1.5A,4.5V
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功率耗散（最大）
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500mW(Ta)
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VGS（TH）（最大）@标识
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1V@250A
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漏极至源极电压（Vdss）
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20V
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包
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SuperSOT-3
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工作温度
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-55C~150C(TJ)
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