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AP40P05
加入对比品牌： ALLPOWER
类别： 射频用FET/MOSFET
描述： 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：5A 功率(Pd)：2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：65mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：14nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：596pF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：70pF@20V 工作温度：+150℃@(Tj)
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1 + |
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￥ 0.252916 |
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1 + |
＄ 0.036501 |
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（人民币单价(含13%税)） |
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起订量 1 / 递增量 1
| 参数 | 数值 |
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阈值电压Vgs(th)
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1.6V@250µA
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FET类型
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P沟道
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原产国家
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China
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零件状态
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在售
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漏源电压(Vdss)
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-40V
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连续漏极电流Id@25℃
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-5A
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导通电阻RdsOn(Max)
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120mΩ
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栅极电荷(Qg)(Max)
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14nC
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输入电容(Ciss)(Max)
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596pF
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功率(Max)
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2W
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工作温度(Tj)
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150°C
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